Lieferung "frei Verwendungsstelle", Installation und Inbetriebnahme einer Cz-Züchtungsanlage für das Züchten von Oxid-Einkristallen. Darüber hinaus: Bereitstellung der Dokumentation, Abnahme (Werks- und Endabnahme), Service im Störungsfall. Die Anlage ermöglicht das Züchten von Oxid-Einkristallen, insbesondere von Ga₂O₃, aus der Schmelze mittels des Czochralski-Verfahrens. Es werden Kristalldurchmesser von 15 mm bis maximal 100 mm (4 Zoll) sowie Kristallgewichte von 60 g bis zu 5 kg erreicht. Der Kristallwachstumsprozess findet in einer doppelwandigen, wassergekühlten Kammer aus Edelstahl statt, in der durch vorheriges Evakuieren und anschließendes Befüllen mit Gasen unterschiedliche Gasatmosphären eingestellt werden. Der Prozess wird bei einem Druck zwischen Atmosphärendruck und leichtem Überdruck (max. 500 mbar Überdruck) in einer statischen oder strömenden Gasatmosphäre durchgeführt.

OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

1 LE umfassend: Lieferung "frei Verwendungsstelle", Installation und Inbetriebnahme. Darüber hinaus: Bereitstellung der Dokumentation, Abnahme (Werks- und Endabnahme), Service im Störungsfall.