300 mm Semi-Automatic RF Probe System for On-Wafer Measurements up to 250 GHz
300 mm Semi-Automatic RF Probe System for On-Wafer Measurements up to 250 GHz
Halbautomatisches 300-mm-HF-Messsystem mit kontrollierter Trockenatmosphäre - Halbautomatisches 300-mm-Probersystem für On-Wafer-Messungen - Integrierte kontrollierte Trockenatmosphäre zur Vermeidung von Kondensation und Eisbildung bei Messungen unter Umgebungstemperatur - Systemdesign mit definierter Schnittstellenarchitektur zur Integration optionaler thermischer Spannfutter (thermal chuck) über standardisierte mechanische, elektrische und softwareseitige Schnittstellen - Automatische Erkennung von Wafergrößen (150 mm, 200 mm, 300 mm sowie Einzelchips bis 5 × 5 mm) - Präzisions-XY-Tisch: mindestens 310 × 310 mm Verfahrbereich, Wiederholgenauigkeit < 1,0 µm, Genauigkeit < 2,0 µm - Präzisions-Z-Tisch: mindestens 30 mm Verfahrbereich, Wiederholgenauigkeit < 1,0 µm, Genauigkeit < 2,0 µm - Theta-Achse: ±5°, Auflösung ? 0,0001° - Gesteuerter Kontaktmechanismus mit ? 1 µm Wiederholgenauigkeit - Integrierter Schwingungsisolations- und Nivelliertisch - Zentrale Bedienkonsole zur Steuerung aller Achsen und Funktionen - Tastatur- und Mausablage integriert - Spannungsversorgung 100-240 V AC, 50/60 Hz