Sistem de gravură ionică reactivă (Reactive Ion Etching) cu plasmă cuplată inductiv, numit în continuare Sistem de gravură ICP-RIE, va fi utilizat pentru dezvoltarea și fabricarea de micro- și nanostructuri cu aplicabilitate în domenii precum micro- și nanoelectronică, optoelectronică, fotonică, precum și în aplicații de tip senzori. Sistemul trebuie să permită gravura anizotropă, selectivă și reproductibilă a unei game largi de materiale: polimeri (ex: PMMA, SU-8), oxizi metalici (ex: SiO2, Al2O3, HfO2, TiO2, ZnO, CuO), nitruri metalice (ex: AlN, TiN), metale (Cr, Ti) și dicalcogenuri ale metalelor de tranziție (ex: MoS₂).

Default lot

Sistem de gravură ionică reactivă (Reactive Ion Etching) - 1 buc. Sistemul de gravură ICP-RIE va fi utilizat pentru dezvoltarea și fabricarea de micro- și nanostructuri cu aplicabilitate în domenii precum micro- și nanoelectronică, optoelectronică, fotonică, precum și în aplicații de tip senzori. Sistemul trebuie să permită gravura anizotropă, selectivă și reproductibilă a unei game largi de materiale: polimeri (ex: PMMA, SU-8), oxizi metalici (ex: SiO2, Al2O3, HfO2, TiO2, ZnO, CuO), nitruri metalice (ex: AlN, TiN), metale (Cr, Ti) și dicalcogenuri ale metalelor de tranziție (ex: MoS₂). Sistemul trebuie să ofere următoarele capabilități esențiale: a) Sistemul trebuie să fie capabil să proceseze probe cu dimensiuni de până la minim 200 mm; b) Sistemul trebuie să permită procesarea unei game largi de materiale țintă (polimeri, oxizi metalici, nitruri metalice, metale și dicalcogenuri ale metalelor de tranziție), utilizate în mod frecvent în aplicații de micro- și nanofabricare. Pentru a asigura o astfel de versatilitate funcțională, sistemul trebuie să fie proiectat astfel încât să fie pe deplin compatibil cu gazele reactive fluorurate și gazele pe bază de clor. Configurația camerei de proces și a circuitelor de gaze trebuie să permită alternarea între cele două tipuri de chimii în cadrul aceleiași incinte de reacție, fără a compromite puritatea procesului, fără a genera contaminare încrucișată și fără a afecta reproducibilitatea sau eficiența procesului de gravură; c) Gazele suportate trebuie să includă: Ar, O₂, SF₆, CF₄, CHF₃, Cl₂ și BCl₃ (încălzit). d) Sistemul de vid și sistemul de alimentare cu gaze trebuie sa asigure comutarea sigură și facilă între cele două tipuri de chimii în cadrul aceleiași incinte de reacție, fără a necesita modificări hardware sau utilizarea unor echipamente dedicate pentru fiecare clasă de reactivi.