Der Auftraggeber beabsichtigt die Durchführung eines Vergabeverfahrens zur Beschaffung eines Atomic Layer Etching Systems (ALE). Gegenstand der Beschaffung ist die Lieferung, Installation und Inbetriebnahme einer Anlage zur präzisen und materialschonenden Ätzung von III-V-Halbleitern (z. B. InP, InGaP, AlGaAs). Ziel ist die Erweiterung und Weiterentwicklung bestehender Prozessketten im Bereich der Mikro- und Nanostrukturierung im Rahmen des Projekts APECS

Atomic Layer Etching System (ALE)

Lieferung, Installation und Inbetriebnahme eines Atomic Layer Etching Systems (ALE) zur präzisen und materialschonenden Ätzung von III-V-Halbleitern.